اندازه گیری ثابت دی الکتریک سیب زمینی با امواج مایکروویو

پایان نامه
چکیده

سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی های متعددی روبه رو می شود. برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی و رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجود می آیند. برای تشخیص این دسته از خرابی ها ، چندین روش موجود می باشد که یکی از آن ها بکارگیری امواج مایکروویو است. در این تحقیق با استفاده از امواج مایکروویو و اندازه گیری ثابت دی الکتریک برای تشخیص خرابی های داخلی سه رقم سیب زمینی ( آگریا، سانته و سانتانا) بکار گرفته شد. برای اندازه گیری ثابت دی الکتریک سیب زمینی از سامانه خط انتقال اتصال کوتاه استفاده شد. ابتدا بر روی این ارقام بررسی خواص مکانیکی و شیمیایی انجام گرفت. ضریب کشسانی، نیروی گسیختگی، چغرمگی و سختی با استفاده از دستگاه آزمون مواد اندازه گیری شد و سپس ph و tss آن ها با استفاده از آزمون های شیمیایی بدست آمد. در مرحله بعد ثابت های دی الکتریک سیب زمینی با دو سطح کیفیتی سالم و ناسالم، با اعمال سه سطح رطوبتی (%w.b. 80 و 70 ،60) و سه سطح فرکانسی (mhz 2450 و 1800 ،915) اندازه گیری گردید. نتایج حاصله نشان داد که اختلاف معنی داری بین ارقام مختلف سیب زمینی برای ضریب کشسانی، سختی و tss در سطح احتمال 1% و برای نیروی گسیختگی و چغرمگی در سطح احتمال 5% وجود دارد، ولی این اختلاف برای ph وجود ندارد. بیشترین مقادیر ضریب کشسانی و سختی برای رقم آگریا به ترتیب mpa 645/0 و n/mm 404/18 و همچنین چغرمگی و نیروی گسیختگی به ترتیب kj/m3 3/17 و kn470/0 برای رقم سانتانا بدست آمد. همچنین نتایج بدست آمده از اندازه گیری ثابت های دی الکتریک نمونه ها نشان می دهد اختلاف معنی داری بین فرکانس ها و همچنین رطوبت های مختلف در سطح 1% وجود دارد. با افزایش رطوبت، ثابت دی الکتریک افزایش یافت. همچنین نتایج آزمایش های مختلف نشان می دهد که در رطوبت های بالاتر سیب زمینی، با افزایش فرکانس، ثابت دی الکتریک کاهش می یابد ولی این روند در رطوبت های پایین تر به دلیل تأثیر دو دسته رطوبت آزاد و مقید در خاصیت عایقی الکترومغناطیسی، کاملا عکس می باشد، بطوریکه هرچه فرکانس افزایش یابد ثابت دی الکتریک نیز افزایش می یابد. محدوده مقادیر ثابت دی الکتریک اندازه گیری شده، بین 3/50 تا 3/61 با دقت اندازه گیری 01/0 بدست آمد. بیشترین مقادیر ثابت دی الکتریک بدست آمده برای سیب زمینی های سالم برای رقم آگریا 6/57 ، سانته 23/61 و سانتانا 1/59 و همچنین برای سیب زمینی های ناسالم رقم آگریا 6/55، سانته 03/59 و سانتانا 6/57 در فرکانس mhz 915 و سطح رطوبتی 80% بدست آمد.

منابع مشابه

اندازه گیری رطوبت خرما با روش غیر مخرب دی الکتریک

برآورد سریع و غیر مخرب رطوبت اهمیت بسزایی در مدیریت برداشت، انبار داری، فروش، و فراوری خرما دارد. در این تحقیق با روش خازن با صفحات موازی، ولتاژ متناوب سینوسی به محصول خرما اعمال و با دستگاه اسپکتروم آنالایزر پاسخ سیگنال خروجی مدار در محدودۀ فرکانسی 1 تا mhz 100 اندازه گیری گردید. از مدل های رگرسیون خطی چندمتغیره (mlr) به منظور استخراج رابطۀ بین رطوبت و مقادیر توان در فرکانس های گوناگون استفاده...

متن کامل

بررسی تف جوشی مایکروویو و اثرات آن بر ساختار بلوری، ریزساختار و خواص مایکروویو دی الکتریک سرامیک Li2TiO3

در این پژوهش زینتر تف­جوشی سرامیک Li2TiO3 به دو روش معمولی و مایکروویو انجام شد. بیشینه چگالی g/cm3 08/3 (58/90 درصد چگالی تئوری) به روش زینتر تف­جوشی معمولی در دمای ˚C1200 و با زمان نگه­داری 3سه ساعت به­دست آمد در حالی­که بیشینه چگالی g/cm3 12/3 (76/91 درصد چگالی تئوری) به روش زینتر تف­جوشی مایکروویو در دما...

متن کامل

اندازه گیری باقیمانده سموم متداول مصرفی ( آندوسولفان و فوزالون ) در کنترل سوسک کلرادوی سیب زمینی

در کشور ما همه ساله مقادیر قابل توجهی از انواع حشره کشها برای مبارزه با آفات کشاورزی به مصرف می رسند که قادرند محیط زیست و محصولات کشاورزی را شدیدا آلوده سازند. سموم فسفره به دلیل درجه سمیت بسیار بالا و سموم کلره به دلیل پایداری زیادشان در محیط از جمله آفت کشهای مهم می باشند. این سموم بصورت مستقیم و غیرمستقیم جذب محصولات یا وارد محیط زیست شده و براحتی وارد چرخه غذایی موجودات می شوند. تعیین غلظت...

متن کامل

بهینه سازی مصرف انرژی در فرآیند خشک کردن سیب با استفاده از امواج مایکروویو

اهمیت بسیار زیاد سیب در ایران، ارزش افزوده قابل توجه آن پس از فرآوری و از طرفی بروز مشکلات تأمین انرژی جهت خشک کردن این محصول ارزشمند، باعث شده است تا در طی سالهای اخیر روش­های متعددی برای کاهش زمان و انرژی مصرفی در زمینه فرآوری سیب پیشنهاد گردد. در این تحقیق مطالعه و بهینه سازی مصرف انرژی دریک خشک­کن ترکیبی مایکروویو-جریان­ هوای­گرم انجام شد. در این خشک­کن برای تولید امواج مایکروویو از یک لامپ...

متن کامل

بررسی ثابت دی الکتریک لایه نازک SiO2با استفاده از آزمون بیضی سنجی

In this paper, we studied the optical behavior of SiO2 thin films prepared via sol-gel route using spin coating deposition from tetraethylorthosilicate (TEOS) as precursor. Thin films were annealed at different temperatures (400-600oC). Absorption edge and band gap of thin layers were measured using UV-Vis spectrophotometery. Optical refractive index and dielectric constant were measured by ell...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده کشاورزی

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023